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Nexperiaは100 V MOSFETを発売し、要求の高い自動車応用のために超低導通損失を実現する
2025-09-22
Nexperiaは本日、小型CCPAK 1212(12 x 12 mm)銅クリップパッケージを採用したAEC-Q 101規格に準拠した新型100 V MOSFETを発表した。このデバイスは超低オン損失を有し、オン抵抗(RDS(on))は0.99 mΩまで低く、460 A以上の安全電流を実現することができる。
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貿易沢がRenesas Electronics RA 8 P 1マイクロコントローラを発売先進AIに高CPU性能を提供
2025-09-18
超リッチ半導体及び電子部品を提供する™「Mouser Electronics」は同日、Renesas ElectronicsのRA 8 P 1マイクロコントローラ(MCU)を発売した。
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Vishayは低直流バイアス特性と低誘電体損失因子(DF)を有する磁器誘電体径方向リード高圧直挿磁器チップ容量の一種を発売した
2025-09-11
威世科技Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE株式市場符号:VSH)はこのほど、低誘電体損失因子(DF)と低直流バイアス電圧の特性を持ち、工業と医療応用に適した磁器誘電体キャパシタシリーズの新シリーズを発表した。
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96 MHz主周波数M 0+コア低消費電力シングルチップマシンCW 32 L 011製品紹介
2025-09-08
CW 32 L 011はeflashベースのシングルチップ低消費電力マイクロコントローラであり、主周波数が96 MHzまでのARMを集積している®Cortex-M 0+コア、高速組み込みメモリ(64 KバイトまでのFLASH、6 KバイトまでのSRAM)、および一連の包括的な拡張周辺機器とI/Oポート。
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