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英飛凌は新型EiceDRIVER Power全橋変圧器ドライブシリーズを発売し、構造がコンパクトで、経済的で効率的なゲートドライバ電源に適している
2024-12-09
英飛凌科技株式会社は、IGBT、SiC、GaNゲートドライバの電源に適したEiceDRIVERを発売した™ Power 2EP1xxRフルブリッジ変圧器ドライバシリーズ。2 EP 1 xxRシリーズはインフェナントレンジングパワーデバイスの製品ラインナップを拡大し、設計者に隔離ゲートドライバ電源ソリューションを提供した。このシリーズの半導体装置は非対称出力電圧を実現するのに役立ち、経済的で効率的で省スペースな方法で隔離ゲートドライバに電力を供給することができる。
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ソスコ、多点ロック押圧ハンドルを発売
2024-12-06
ソスコが新たに発売したAC-50多点押圧ハンドルドライバは、2線ケーブルの取っ手設計を採用し、大型ドアパネルでの位置決め自由度を大幅に向上させた。この設計はユーザーの操作を容易にするだけでなく、安全で安定したマルチロックを確保し、人体工学への要求を満たしている。
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伊法半導体IO−Linkアクチュエータ回路基板は産業監視・機器メーカーにワンストップ参照設計をもたらす
2024-11-25
伊法半導体はIO-Linkに基づく工業規格と設備警報アクチュエータの参考設計を発表し、最終的な納品形式は箱を開けてすぐに使用する完成品カードと関連するプロトコルスタックとアプリケーションソフトウェアである。
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Vishayの新150 V MOSFETは業界をリードする電力損失性能を備えている
2024-11-23
威世科技Vishayはこのほど、PowerPAKの採用を発表した® SO-8S(QFN 6x5)カプセル化された新しい150 V TrenchFET® Gen V Nチャネル電力MOSFET---SiRS 5700 DPは、通信、工業、計算応用分野の効率と電力密度を高めることを目的としている。Vishay Siliconix SiRS 5700 DPの総オン抵抗は、PowerPAK SO-8パッケージを採用した前世代のデバイスに比べて68.3%低下し、オン抵抗とゲート電荷積(電力変換アプリケーションにおけるMOSFETの重要品質因子(FOM)は15.4%低下し、RthJCは62.5%低下し、連続ドレイン電流は179%増加した。
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