三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。

Ampere Computing 宣布推出全新 AmpereOne™ 系列处理器，该处理器拥有多达 192 个单线程 Ampere 核，内核数量为业界最高。这是第一款基于 Ampere 新自研核的产品，由 Ampere 自有 IP 全新打造。

安森美推出最新一代1200 V EliteSiC 碳化硅（SiC）M3S器件，助力电力电子工程师实现更出色的能效和更低系统成本。全新产品系列包括有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块，以适配越来越多的800 V电动汽车（EV）车载充电器（OBC）和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。

英飞凌科技股份公司继推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 绝缘体上硅（SOI）三相栅极驱动器之后，现又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列，进一步扩展其产品组合。该驱动器 IC系列的半桥配置补充了现有的 1200V SOI 系列，为客户提供了更多的选择以及设计灵活性。