Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
2024-11-23
日前,威世科技Vishay宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S(QFN 6x5)封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %,导通电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)降低了15.4 %,RthJC降低了62.5 %,而连续漏极电流增加了179 %。
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