高信頼性、高性能窒化ガリウム（GaN）電源変換製品のパイオニア的企業であり、世界的なサプライヤーであるTransphorm，Inc.（Nasdaq：TGAN）は、1200ボルト電力管シミュレーションモデルおよび初期仕様書を発表した。TP 120 H 070 WSパワーチューブは、これまで発売された唯一の1200 V GaN-on-Sapphireパワー半導体であり、同類製品をリードしている。この製品の発表により、Transphormは将来の自動車電力システムをサポートする能力があり、工業、データ通信、再生可能エネルギー市場で一般的に使用されている三相電力システムをサポートする能力があることが明らかになった。

汎用フラッシュメモリストレージ技術[1]（UFS）の発展を継続的に推進しており、Kioxia Corporationは世界をリードするストレージソリューションプロバイダであり、次世代高性能UFS Ver.4.0組み込みフラッシュメモリストレージを発表し、サンプル試作を開始した[2]。これらのデバイスは小型パッケージを採用し、高速な内蔵ストレージ転送速度を提供し、最先端のスマートフォンを含むさまざまな次世代モバイルアプリケーションに最適化されています。

貿易沢電子は本日、STMicroelectronicsのLIS 2 DUX 12とLIS 2 DUXS 12 AI強化型スマート加速度計を発売した。これらの加速度計はSTMicroelectronicsの第3世代MEMS技術を採用し、高精度、低消費電力でイベントとジェスチャーを正確に検出することができる。この新しいスマート加速度計は、ウェアラブルデバイス、ゲームコントローラ、携帯型医療デバイス、アセットトラッカー、ワイヤレスセンサノードを含む一連の「常時知覚」アプリケーションをサポートしています。

Vishay Intertechnology，Inc.はこのほど、SOT-227を採用したAEC-Q 200認証を取得した小型パッケージで、ヒートシンクに直接取り付けることができる新しい厚膜電力抵抗----ISOを発表した。Vishay MCB ISOAは高いパルス処理能力を持ち、85°Cベースシェル温度で、電力散逸は120 Wに達し、内部温度監視にNTCサーミスタを選択的に配置でき、プリコート相転移熱界面材料（PC-TIM）は貼り付け効率を高める。