中国上海—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，已开始量产M3H组的21款新微控制器，M3H组是TXZ+™族高级系列，的新成员，采用40nm工艺制造。M3H组内置ARM® Cortex®-M3内核，运行速度高达120MHz，最高可集成512KB代码闪存和32KB数据闪存，具有10万次的写入周期寿命。此外，新款微控制器还提供了丰富的接口与电机控制选项，例如UART、I2C编码器和可编程电机控制。M3H组器件广泛适用于包括电机、家用电器和工业设备在内的众多应用。

CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新产品，进一步扩展其CIPOS™ Tiny智能功率模块（IPM）系列的产品阵容。这款全新的IPM采用了TRENCHSTOP™ RC-D2 IGBT功率开关器件和先进的SOI栅极驱动技术，可最大限度地提高效率，实现更高的可靠性，同时尽最大可能缩小外形尺寸并降低系统成本。将分立式功率半导体和驱动器进行一体化集成封装，使得设计师可以节省投入在产品设计上的时间和精力，从而显著加快产

奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。