CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CIPOS Tiny IM323-L6G 600 V 15 A新产品，进一步扩展其CIPOS™ Tiny智能功率模块（IPM）系列的产品阵容。这款全新的IPM采用了TRENCHSTOP™ RC-D2 IGBT功率开关器件和先进的SOI栅极驱动技术，可最大限度地提高效率，实现更高的可靠性，同时尽最大可能缩小外形尺寸并降低系统成本。将分立式功率半导体和驱动器进行一体化集成封装，使得设计师可以节省投入在产品设计上的时间和精力，从而显著加快产

奈梅亨，2021年7月29日：Nexperia是基础半导体器件领域的专家，今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。

TDK集团（东京证券交易所代码：6762）针对干扰抑制应用推出新的B3202*H/J系列爱普科斯 (EPCOS) MKP-Y2薄膜电容器。与最高工作温度为110°C的传统型号相比，B3202*H/J系列的最大工作温度达到了125°C。新系列的容值范围为1nF到1µF，最大额定电压为300V AC，并且能在严苛工况下维持稳定的容值。该电容能满足IEC 60384-14:2013/AMD1:2016和AEC-Q200D标准。