与其他非易失性存储器相比，新的ReRAM产品具有极小的读取电流水平。在5MHz工作频率下，平均读取电流小至0.15mA，甚至在10MHz工作时最大读取电流为1.0mA。因此，通过将MB85AS12MT安装在具有频繁数据读取操作（例如特定程序读取或设置数据读取）的电池供电设备中，可以最大限度地减少电池消耗。它非常适合用于电池供电的小型可穿戴设备，例如助听器和智能手表。

       富士通半导体存储器解决方案在继续为需要频繁数据重写的客户设备寻求更大密度的FRAM产品的同时，一直在开发新的非易失性存储器以满足频繁读取数据的要求，从而引入了这种新的12Mbit ReRAM产品。富士通半导体内存解决方案不断开发各种低功耗内存产品以满足客户的需求。