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Vishay推出SOT－227封装功率模块，在提高功率转换效率的同时，无需改变PCB布局
2026-10-19

器件具有单开关和低边斩波器两种配置，采用先进的650 V超结MOSFET技术，优化RDS(on)-Qg之间的均衡

日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出四款内置650 V超结MOSFET芯片、采用行业标准SOT-227封装的新型功率模块--- VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65。Vishay Semiconductors VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65优异均衡导通损耗与开关损耗，支持工业应用高效功率转换。

日前发布的功率模块包括三款单开关配置器件，标称额定电流分别为 50A、100A和150A；另外一款50A器件采用低边斩波器配置、集成650 V SiC二极管。四款器件均采用先进高效的 650V 超结 MOSFET 技术，具有显著的导通电阻与栅极电荷均衡优势，设计人员可在保持快速开关特性的同时降低功耗。

VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65可用作DC/DC转换器和DC/AC逆变器，适用于太阳能逆变器、制氢与燃料电池系统、HVDC基础设施辅助电子设备与输电系统、充电站、开关电源、焊接切割设备、不间断电源（UPS）、照明系统、轨道交通电源、X光和磁共振（MRI）系统等医学影像设备。

上述应用严苛环境下，功率模块工作温度范围达 -55 °C至+150 °C。器件采用SOT-227封装，为直接替代现有设计中的竞品提供即插即用解决方案，无需改变 PCB布局，从而节约成本。

器件规格表：

产品编号	VS-FC50LA65	VS-FC50SA65	VS-FC100SA65	VS-FC150SA65
VDSS (V)	650	650	650	650
RDS(on) 典型值(mW)	45	44	22	14.8
Qg (nC)	167	167	338	508
标称额定电流 (A)	50	50	100	150
配置	低边斩波器	单开关	单开关	单开关

VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。

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