威迈斯研发部门产品线总监兼首席工程师徐金柱表示：“我们十分高兴能为我们的下一代OBC选择英飞凌的CoolSiC Hybrid器件，从而实现更高的可靠性、稳定性、性能和功率密度。这深化了我们与英飞凌的合作关系，并通过紧密协作，推动技术应用创新，共同促进新能源汽车的蓬勃发展。”

英飞凌科技汽车高压芯片与分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“我们很高兴凭借高效的混合产品加强与VMAX的合作。我们将一起继续推动电动汽车的发展，以高效率的解决方案满足业界对性能、质量和系统成本的要求。”

这款混合分立器件采用快速硬开关TRENCHSTOP 5 650 V IGBT与零反向恢复CoolSiC肖特基二极管共封装，在开关速度超过50 kHz时的开关损耗极低。这使得该器件成为大功率电动汽车充电系统的上佳之选。此外，坚固耐用的第5代 CoolSiC肖特基二极管还具有更强的抗浪涌电流能力，最大程度地提高了可靠性。该SiC二极管的扩散焊接改善了封装的热阻 (Rth)，使芯片尺寸变得更小，从而提高了功率开关能力。凭借这些特性，该产品实现了更出色的系统可靠性和使用寿命，满足了汽车行业的严格要求。为了最大程度地提升与现有设计的兼容性，该产品还采用了基于广泛使用的D²PAK封装的引脚对引脚兼容设计。

供货情况

采用TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT和CoolSiC™ 肖特基二极管G5共同封装的 CoolSiC™混合分立器件现已上市。更多信息，敬请访问www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/coolsic-hybrid-devices/hybrid-discretes/aikbe50n65rf5。



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