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東芝は高サージ電流能力を備えた3300V SiC MOSFETモジュールを発表し、産業機器の信頼性向上に貢献
2026-09-28

東芝電子部品及び記憶装置株式会社（「東芝」）は本日、産業機器向けデュアルSiC MOSFETモジュール「IX 800 FXF 2 YMS 4」を発売し、製品ラインをさらに拡充したと発表した。このモジュールは鉄道車両、再生可能エネルギー発電システム及び電力変換システムなどの応用に適している。新モジュールは東芝の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載し、ドレイン源電圧定格値は3300 V、ドレイン電流（DC）定格値は800 Aである。その規格パラメータにはダイオード部分のI²t限界値が表示され、この値はサージ電流能力を測定する指標である。

鉄道牽引インバータやコンバータ、再生可能エネルギー発電システム、産業用モータ制御装置などの産業用機器メーカーは、より効率的で、より小型で、より信頼性の高い需要を絶えず満たしなければならない。これらのシステムでは、例外的にはパワー半導体モジュールを流れる大きなサージ電流が流れ、パワー半導体モジュールは大きなサージ電流にさらされる可能性があるため、この課題に対応するためには十分なサージ電流耐性が必要です。

IX 800 FXF 2 YMS 4は最適化されたSiCチップ設計を採用し、異常条件下で300 kA²s[1]のI²t特性を実現することができ、この特性はダイオード部分のサージ電流能力を測定する指標である。

このモジュールのドレイン源ターンオン電圧（検出）（VDS（on）sense）は1.4 V（典型値）であり［2］、ターンオン損失の低減に役立つ。そのオンスイッチング損失（Eon）は185 mJ（標準値）［3］、オフスイッチング損失（Eoff）は175 mJ（標準値）［3］であり、スイッチング損失の低減に寄与する。これらの特性は、設備の信頼性と効率を向上させ、冷却システムのサイズを縮小するのに役立ちます。

新製品はiXPLVを採用™パッケージ化されており[4]、インストール互換性に優れています。本製品は銀焼結接合技術を用いて、SiCチップ接合部位の耐熱性と信頼性を高め、工業設備に必要な175°Cチャネル温度定格値を実現した。

今回の新製品参入で、東芝はiXPLVを採用™パッケージ化されたSiC MOSFETモジュールの数は4種類に増え、さらにオプション製品の範囲を広げた。

東芝は、産業機器向けSiC MOSFETモジュールのラインナップを拡充し、多様な機器仕様やアプリケーションニーズに対応するためのより幅広い製品選択を提供していく。同時に、会社は引き続き工業設備の信頼性、効率、小型化に貢献する。

適用：
工業設備
鉄道牽引インバータとコンバータ
再生可能エネルギー発電システム
電力変換システム（ソリッドステートトランス（SST）［5］、無停止電源（UPS）、エネルギー貯蔵システム（ESS）など）
産業用モータ制御装置等

プロパティ:
低ドレイン源オン電圧（検出）：VDS（on）sense＝1.4 V（標準）
低スイッチング損失：Eon＝185 mJ（標準値）、Eoff＝175 mJ（標準値）
接合温度定格：Tch＝175°C
iXPLVを採用™カプセル化。

主な仕様：

（除非另有说明，否则Tc＝25°C）

製品型番				IX800FXF2YMS4
カプセル化		名称		iXPLV™
カプセル化		寸法（mm）	標準	144×99.5×40
ぜったいさいだいていかく	ドレイン源電圧VDSS（V）			3300
	ゲート源電圧VGSS（V）			＋25/－10
	ドレイン電流（DC）ID（A）			800
	ドレイン電流（パルス）IDP（A）			1600
	接合温度Tch（°C）			175
	絶縁電圧Visol（Vrms）	交流，60s		6000
	I2t限界値（ダイオード）I2t（kA2s）	Tch（initial）＝175°C、VGS＝−6 V、半正弦波10 ms 1パルス、F.R.＝1%		300
電気特性	ドレイン源導通電圧（検出） VDS(on)sense（V）	ID＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C	標準	1.4
	ドレイン源導通電圧（検出） VSD(on)sense（V）	IS＝800A，VGS＝＋20V，Tch＝25°C	標準	1.4
	ドレイン源導通電圧（検出） VSD(off)sense（V）	IS＝800A，VGS＝－6V，Tch＝25°C	標準	2.2
	浮遊インダクタンスLsPN（nH）	P端子—N端子	標準	12
	ターンオンスイッチ損失 Eon（mJ）	VDD＝1800V，ID＝800A，VGS＝＋20V/－6V，Cgs＝100nF，RG(on)＝1.2Ω，RG(off)＝1.2Ω，Tch＝175°C，LS≃70nH	標準	185
	ターンオフスイッチ損失 Eoff（mJ）		標準	175

アプリケーション回路の例

鉄道牽引システムの例
注意：本書に示されている応用回路の例は参照のためだけです。量産用の設計は十分に評価されなければならない。この応用回路の例を提供することは、産業財産権の許可を与えない。

注：
［1］試験条件：Tch（initial）＝175°C、VGS＝−6 V、半正弦波10 ms 1パルス、F.R.＝1%
［2］試験条件：ID＝800 A、VGS＝＋20 V、Tch＝25°C
〔3〕試験条件：VDD＝1800 V、ID＝800 A、VGS＝＋20 V／−6 V、Cgs＝100 nF、RG（on）＝1.2Ω、RG（off）＝1.2Ω、Tch＝175°C、LS≃70 nH
[4] iXPLV™：intelligent fleXible Package Low Voltageの略語

新製品の詳細については、次のWebサイトを参照してください。
IX800FXF2YMS4
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/sic-mosfet-modules/detail.IX800FXF2YMS4.html

東芝SiCパワーデバイスの詳細については、次のWebサイトを参照してください。
SiCパワーデバイス
https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semiconductors.html

*iXPLV™東芝電子部品及び記憶装置株式会社の商標です。
*この文書で言及されている会社名、製品名、およびサービス名は、それぞれの会社の商標である可能性があります。
*本書に記載されている製品の価格や仕様、サービス内容、連絡先などの情報は、公告の日にも最新の情報となりますが、予告なく変更される場合があります。

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