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Mouser Electronicsでは、AI、産業、エネルギー、ロボット応用向けオンスミスGaNEXUS GaN FETの販売を開始
2026-09-24

超リッチ半導体及び電子部品を提供する™「Mouser Electronics」は本日、安森美（onsemi）の新GaNEXUSを発売した。™窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaNFET）。GaNEXUS GaN FETはGaNの広帯域ギャップ特性を利用して、高速スイッチ、低ゲートと出力電荷を提供し、効率を高め、AI、データセンター、工業自動化、ロボットとエネルギーインフラなどの応用に適している。

アンソンメGaNEXUS GaN FETは、低圧、中圧、高圧、超高圧の範囲の電力変換用途において、より高い動作周波数、より高い電力密度を実現し、磁気部品の使用を低減することができる。これらの強化された分離型GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、統合保護機能を備えた650 V GaNEXUSインテリジェントGaN FETを含む40 V〜650 Vの電圧範囲を提供し、信頼性を高め、システム統合を簡略化することができる。

AIサーバ、48 V中間バス変換器（IBC）、バッテリバックアップユニット（BBU）、モータドライバなどの低圧・中圧システムにおいて、GaNEXUSはより小さい磁性部品、より高い電力密度、より良い効率と熱性能を実現し、制御安定性を高め、スイッチング損失を低減することができる。AI電源棚、高圧DC-DC変換、PFCとLLC電力段などのより高電圧の応用において、GaNEXUSは高周波AC-DC調和振動段で磁性部品のサイズを60%に縮小し、PFC、LLCと高圧DC-DC構造の電力密度を向上させ、さらに熱管理と運営コストを節約することができる。

詳細については、https://www.mouser.cn/zh/new/onsemi/onsemi-ganexus-fets/。貿易沢のニュースや新製品の紹介の詳細については、を参照してくださいhttps://www.mouser.cn/zh/newsroom/。

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