外国メディアのwccftechはソーシャルメディアプラットフォーム「X」上のユーザー@Kurnalsalts氏の暴露を引用し、日本の新興ウェハOEM企業Rapidusの2 nm（2 HP）プロセスは、論理密度で台積電の2 nm（N 2）プロセスと競争でき、インテル18 Aを大幅に破ることができると述べた。
@Kurnalsaltsによると、Rapidusの2 nmプロセス「2 HP」の論理トランジスタ密度は237.31 MTr/mm²で、電気を蓄積しているN 2の236.17 MTr/mm²に匹敵し、Intel 18 Aの論理密度184.21 MTr/mm²を大幅に上回ることになる（現在のところ、このデータは推定にすぎない）。
また、Rapidus 2 HPがこの論理密度に到達するために関与する単位ライブラリには、G 45の間隔で138単位の高さを持つHD（高密度）ライブラリが含まれていることも明らかにした。Rapidus 2 HPと積算電流N 2の数字が似ていると仮定すると、この2つのノードはいずれもHD型セルであり、その目標は最大論理密度であり、最終的なソリューションがデビューすると、トランジスタの数が似ている可能性があることを示している。
Intel 18 Aの論理トランジスタ密度は相対的に低く、約184.21 MTr/mm²しかないが、これは主にHDライブラリを使用してIntel 18 Aを基準にテストしたためであり、またIntel 18 Aの論理密度が相対的に低いもう1つの要素は、Intel 18 Aが最新の背面給電（BSPDN）技術を使用して、前側金属層の一部を占めていることであり、HDライブラリ測定におけるIntel 18 Aの論理密度の数字が低下している理由である。インテルの重点はパフォーマンス/ワット指標であるため、より高い密度は同社の最終目標ではありません。特にインテル18 Aは主に内部使用に使用されているためです。
Rapidusの2 HPプロセスの論理密度の数字が事実であれば、これは先端プロセス技術におけるRapidusの大きな進歩を意味する。計画によると、Rapidusの2 nm PDKは2026年第1四半期に顧客に提供され、2027年に量産される予定だ。
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