VishayはSOT-227パワーモジュールを発表し、電力変換効率を向上させると同時に、PCBレイアウトの変更を不要にしました
2026-10-19
デバイスはシングルスイッチとローサイドチョッパの2種類の構成を有し、先進的な650 V超接合MOSFET技術を採用し、RDS(on)−Qg間の等化を最適化する
 
Vishay Semiconductors VS-FC 50 SA 65、VS-FC 100 SA 65、VS-FC 150 SA 65とVS-FC 50 LA 65は導通損失とスイッチング損失を優れて等化し、工業応用の高効率電力変換をサポートする。

先日発表されたパワーモジュールは、公称定格電流がそれぞれ50 A、100 A、150 Aである3つのシングルスイッチ構成デバイスを含み、もう1つの50 Aデバイスはローサイドチョッパ構成、集積650 V SiCダイオードを採用している。4つのデバイスはいずれも先進的で高効率な650 V超接合MOSFET技術を採用し、顕著なオン抵抗とゲート電荷の均衡優位性を有し、設計者は高速スイッチング特性を維持しながら消費電力を低減することができる。

 
VS-FC 50 SA 65、VS-FC 100 SA 65、VS-FC 150 SA 65とVS-FC 50 LA 65はDC/DCコンバータとDC/ACインバータとして使用でき、太陽エネルギーインバータ、水素製造と燃料電池システム、HVDCインフラ補助電子機器と送電システム、充電ステーション、スイッチング電源、溶接切断装置、無停電電源(UPS)、照明システム、軌道交通電源、X線と磁気共鳴(MRI)システムなどの医学映像機器に適している。
 
上記の応用が厳しい環境下で、パワーモジュールの動作温度範囲は-55°Cから+150°Cに達する。デバイスはSOT-227パッケージを採用し、既存の設計中の競合品を直接代替するためにプラグアンドプレイソリューションを提供し、PCBレイアウトを変更する必要がなく、それによってコストを節約する。

デバイス仕様表:

製品番号

VS-FC50LA65

VS-FC50SA65

VS-FC100SA65

VS-FC150SA65

VDSS (V)

650

650

650

650

RDS(on) 標準値(mW)

45

44

22

14.8

Qg (nC)

167

167

338

508

公称定格電流(A)

50

50

100

150

配置

ローサイドチョッパ

シングルスイッチ

シングルスイッチ

シングルスイッチ


VS-FC 50 SA 65、VS-FC 100 SA 65、VS-FC 150 SA 65、VS-FC 50 LA 65は現在サンプルを提供し、量産を実現しており、供給周期は12週間である。