イリノイ州ロスモント、2025年6月3日-Littelfuse社（NASDAQ：LFUS）は、持続可能な開発、相互接続、より安全な世界への原動力を提供するための多元化された工業技術製造会社です。同社は今日、IXD 0579 M高速ゲートドライバ集積回路を発表した。IXD 0579 Mは回路基板設計を簡略化し、スペースを節約し、駆動ハーフブリッジ構成におけるNチャネルMOSFETまたはIGBTに信頼性の高いマルチソース代替案を提供した。
IXD 0579 Mは、6.5 Vから18 Vまでの広い電源範囲で動作するように設計されており、単一のコンパクトな3×3 mm²TDFN-10パッケージにブートストラップダイオードと直列限流抵抗器が統合されており、これらの素子は通常個別に設置する必要がある。この革新的な統合設計により、BOM上の構成部品の数とコストが削減されるとともに、PCBレイアウトも簡略化されます。
主な製品特性と利点
高駆動能力：1.5 A引張電流と2.5 A灌流電流出力駆動電流、
広い給電電圧範囲：6.5 Vから18 Vの範囲で動作し、UVLO保護を有する、
集積ブートストラップ回路：チップ内ブートストラップダイオードと抵抗の簡略化設計、
論理レベル互換性：TTLとCMOSレベル（3.3 Vまで低い）と直接ドッキングする、
交差伝導保護：高圧側と低圧側の同時導通を防止する、
超低待機電流：待機モードでの消費電力は1μA未満、高効率省エネを実現する、
熱ロバスト性：−40℃〜＋125℃の動作温度範囲。
「Littelfuseが開発したIXD 0579 Mは、一般的に使用されている業界標準のゲートドライバ集積回路に直接置き換えることができます。Littelfuse集積回路部製品マネージャのJune Zhang氏は、「これは顧客に供給を保障するためのより大きな柔軟性を提供するとともに、集積プログラムを通じて回路設計を簡素化した」と述べています。
IXD 0579 MはLittelfuse初のブートストラップダイオードと電流制限抵抗を同時に集積したゲートドライバであり、会社がますます拡大している電力制御ソリューションの製品ラインナップをさらに豊富にした。Littelfuseが発表した11番目の高圧側/低圧側駆動装置として、この製品はサービスに高性能とサプライチェーンの連続性を必要とする「マルチソース」市場での会社のリードを固めた。
ターゲット市場とアプリケーション
IXD 0579 Mは高周波スイッチ用に設計されており、次の用途に最適です。
ブラシレス直流（BLDC）モータ駆動、
バッテリーに電力を供給するハンドヘルドツール、
DC−DCコンバータと電源、
一般工業及び電気設備、
コンパクトなフォームファクタと堅牢なパフォーマンスにより、空間的に制限された設計と効率的な電力レベルのアプリケーションに最適です。
供給状況
IXD 0579 Mは、1巻3000本のTDFN-10テープパッケージを提供します。世界的にライセンスされたLittelfuseディーラーを通じてサンプル申請を提出することができます。Littelfuseライセンスディーラーのリストについては、Littelfuse.comを参照してください。
詳細情報
詳細については、IXD 0579 Mゲートドライバ集積回路製品ページを参照してください。テクニカルサポートが必要な場合は、LittelfuseのWebサイトにアクセスするか、直接お問い合わせください：
集積回路部（SBU）プロダクトマーケティングマネージャSimon Foley：Sfoley@Littelfuse.com;
集積回路部（SBU）プロダクトマーケティングエンジニアTony Konopka：AKonopka@littelfuse.com
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