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英飛凌はPQFN 2 x 2パッケージを採用したOptiMOSTM 5 25 Vと30 VパワーMOSFETを発売し、技術の新しい基準を確立した。
2022-03-15

英飛凌科技株式会社(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)はこのほど、PQFN 2 x 2 mm 2パッケージを採用したOptiMOSTM 5 25 Vと30 VパワーMOSFET製品シリーズを発表し、分立パワーMOSFET技術に新たな業界基準を確立することを目的としている。これらの新しいデバイスは薄いウエハ技術と革新的なパッケージを採用し,サイズは極めて小さいが,著しい性能優位性を持っている。OptiMOS 5 25 Vおよび30 VパワーMOSFET製品シリーズは、サーバ、通信、携帯充電器、ワイヤレス充電などのSMPSアプリケーションにおける同期整流に最適化されている。これらのパワーMOSFETはまた、小型ブラシレスモータのESC(電子速度制御)モジュールにもドローンに適用できる。無人機は通常、小型で軽量な部品を必要とすることが知られている。

これらのリードするパワーMOSFETデバイスはPQFN 2 x 2パッケージを採用しており、より高いパワー密度、コンパクトな外形寸法、および業界で極めて低いオン抵抗を備えており、エネルギー消費をさらに低減することができる。2 x 2 mm 2の小型パッケージは、PCBレイアウト配線により柔軟性を提供します。さらに,このソリューションは優れた電気的性質を有し,端末応用の電力密度をさらに向上させ,外形寸法を縮小できる。同時に、システム温度の低下、性能の向上により、熱管理がより容易になります。これらの機能は、よりコンパクトなお客様のアプリケーションを実現し、スペースを十分に節約し、システムコストを削減し、設計しやすい製品を構築するのに役立ちます。

供給状況

PQFN 2 x 2パッケージを採用したOptiMOSTM 5 25 Vと30 VパワーMOSFET製品シリーズは現在発売されている：

· PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 mΩ (ISK024NE2LM5)

· PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 mΩ (ISK036N03LM5)

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