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三代半「乗ります」！国星光電SiC−SBDが車規級認証に合格
2023-03-15

最近、国星光電が開発した1200 V/10 A SiC-SBD（炭化ケイ素-ショットキーダイオード）デバイスは、第三者の権威ある検出機関の信頼性検証に成功し、AEC-Q 101の車規級認証を取得した。これは、国星光電の第3世代半導体パワーデバイス製品が工業分野から新エネルギー自動車分野へと着実な歩みを踏み出していることを示している。

性能を高め、高品質な製品を実現する

認証を通過した国星光電SiC-SBDデバイスはTO-247-2 Lパッケージ形式を採用し、1000時間に及ぶ高温、高湿などの劣悪な環境下で検証し、依然として正常で安定した動作状態を維持でき、複雑で変化に富んだ車載応用環境によりよく適応でき、高度な信頼性、安全性と安定性を備えている。

また、従来のシリコンベースダイオード製品よりも、SiC-SBDデバイスは高耐圧、高熱伝導、低損失などの性能に優れており、迅速な回復時間を持ち、スイッチング速度を向上させ、磁性素子とその他の受動素子のサイズを減少させ、空間と重量を節約し、サイズの小さい端末製品を適応させることができ、新エネルギー電気自動車の車載充電機、制御システムや自動車充電杭回路などのシーン。

会社SiC-SBD製品応用シーン概略図

応用を広げ、三世代半の「乗車」を推進する

新たな科学技術革命と産業変革の急速な進展に伴い、半導体の新興応用分野の発展は急速に進んでいる。第3世代半導体は国星光電の展望配置の重要な方向の一つとして、過去1年間、同社がSiC（炭化ケイ素）及びGaN（窒化ガリウム）向けに開発したシリーズの新製品が続々と登場し、例えば光起電力逆変換、エネルギー貯蔵、充電杭などのシーンに応用すべきNSiC-KSシリーズ製品、太陽光発電、電力網伝送、風力発電などの分野に応用されるNS 62 mパワーモジュール、照明や大電力駆動市場に応用されているGaN-ICデバイスなどは、徐々に品数が豊富で品質の高い製品配置を形成し、多くの有名メーカーと良好な協力関係を構築している。

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