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高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋企业和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始规格书。TP120H070WS功率管是迄今为止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半导体,领先同类产品。这款产品的发布展现Transphorm有能力支持未来的汽车电力系统,以及已普遍用于工业、数据通信和可再生能源市场的三相电力系统。
持续推进通用闪存存储技术[1](UFS)的发展,Kioxia Corporation是全球领先的存储解决方案提供商,宣布推出新一代高性能UFS Ver. 4.0嵌入式闪存存储设备,并已开始进行样品试制[2]。这些设备采用小型封装,可提供快速的内置存储传输速度,并针对各种下一代移动应用程序进行优化,包括最先进的智能手机。
贸泽电子即日起开售STMicroelectronics的LIS2DUX12和LIS2DUXS12 AI增强型智能加速度计。这些加速度计采用STMicroelectronics的第三代MEMS技术,能够以高精度、低功耗准确地检测事件和手势。此新型智能加速度计支持一系列“始终感知”应用,包括可穿戴设备、游戏控制器、便携式医疗设备、资产跟踪器和无线传感器节点。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上的全新厚膜功率电阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脉冲处理能力,在85 °C底壳温度下,功率耗散达120 W,可选配NTC热敏电阻用于内部温度监控,预涂相变热界面材料(PC-TIM)提高贴装效率。